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Der Mesatransistor (engl. mesa transistor) ist ein spezieller, kapazitätsarmer Bipolartransistor für den Hochfrequenzbereich. Er wurde 1956 von Mitarbeitern der Firma Texas Instruments erfunden und bekam seinen Namen durch sein Aussehen, das den Tafelbergen in Mesa Arizona ähnelt (span. mesa = Tafel).
Die am häufigsten eingesetzten Mesatransistoren sind Germaniumtransistoren, es gibt aber auch Silizium-Mesatransistoren. Heutzutage werden aber Mesatransistoren kaum noch eingesetzt.
Der Mesatransistor wird durch ein spezielles Diffusionsverfahren hergestellt. Dabei werden auf einen p-dotierten Germaniumkristall zwei pillenfömige, entgegengesetzt dotierte Materialien platziert. Diese Anordnung wird nun stark erwärmt, um die folgende Diffusion zu beschleunigen, hierbei diffundieren die n-Störstellenatome schneller in schwach p-dotiertes Germanium als die p-Störstellenatome. Es bildet sich eine n-leitende Schicht im gesamten Oberflächenbereich. Die p-Störstellenatome wiederum bilden durch ihre langsamere Diffusionsgeschwindigket eine p-leitende Zone im nun n-dotierten Oberflächenbreich. Es entsteht die Schichtfolge pnp.
Zur Verbesserung der elektrischen Eigenschaften (u. a. Reduzierung von Kapazitäten) werden nun die oberen Schichten des Transistors bis zur Kontaktstelle der Dotierungsmaterialien mit dem Germaniumkristall weggeätzt. Dieses Wegätzen der Seiten gibt dem Transistor das Aussehen eines Tafelbergs.
Anschließend wird die Schichtfolge kontaktiert, wobei der Kristallkontakt den Kollektor und die anderen beiden Kontakte die Basis und Emitter darstellen.
